美国Dytran 2011V压力传感器原理

美国Dytran半导体压电阻抗扩散压力传感器是在薄片表面形成半导体变形压力，通过外力（压力）使薄片变形而产生压电阻抗效果，从而使阻抗的变化转换成电信号。静电容量型，是将玻璃的固定极和硅的可动极相对而形成电容，将通过外力（压力）使可动极变形所产生的静电容量的变化转换成电气信号。

美国Dytran 2011V压力传感器特点

压电式压力传感器－IEPE型

灵敏度 5 mV/psi

量程 1000 psi

重量 13 grams

最大压力 2000 psi

冲击 3000 g

固有频率 130 kHz

温度 -73~121 ℃

安装方式 3/8-24螺纹

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美国Dytran 2011V压力传感器尺寸